李虎

本工作报告了一种基于半导体石墨烯纳米带/氧化铝/单晶硅的新型p-i-n异质结型自驱动短波红外光电探测芯片。在异质界面所触发的的光门控效应和内置电场的共同作用下，芯片展示了零偏压下的超高响应和探测性能。该光电探测芯片在自驱动模式时响应率高达75.3 A/W，检测率为 7.5×1014 Jones，外量子效率接近104%，将同类型硅基芯片的检测性能提高了创纪录的7个数量级。此外，在常规驱动模式下，芯片的响应率、检测率、外量子效率同样高达843 A/W、1015 Jones和105%，均为目前所报道的最高值。同时，我们还展示了该光电探测芯片在光通信和红外成像领域的真实场景应用，体现了巨大的应用潜力。