李绍锐

近期，物理系张金松课题组提出了一种基于氢离子调控的石墨烯晶体管器件，利用在栅极电压和源漏电压的联合调控下石墨烯与氢离子的可逆氢化反应，使器件具有忆阻开关的I-V特性，并且可以通过应用不同的栅极电压有效地控制器件在非易失和易失性开关模式间进行可逆切换（如图1所示）。