李灿

首创原子层间滑移生长新技术，实现六方氮化硼原子层间的嵌入式生长超长超窄且手性一致的石墨烯纳米带，为发展新一代超快运算、超低功耗碳基纳米信息技术提供了新材料体系；成功构建独特的原位封装纳米带晶体器件，并获得优异性能：室温下，器件的开关比可达106，载流子迁移率高达4,600 cm2V–1s–1，是石墨烯纳米带器件的最高纪录。

在此研究中，作者使用扫描探针显微镜和光谱来探测三层和四层菱方石墨烯中的本征电子态。研究发现在四层菱方石墨烯中电荷中性点处能隙高达19 meV的关联绝缘态，这在三层菱方石墨烯和伯纳尔堆叠四层中是不存在的。通过施加垂直磁场或掺杂载流子密度来抑制该能隙，并且不会表现出谷间相干模式。将这一现象归因于对称性破缺层反铁磁态，其特征是最外层的亚铁磁序与它们之间的反铁磁耦合。