晶体管

针对这一问题，魏大程团队开发了一种基于内剪切反应的石墨烯场效应晶体管传感器。在传感器中，石墨烯作为导电沟道。检测过程中，羟基自由基与Au-S键发生氧化剪切反应，从石墨烯表面释放带电金属离子，引起石墨烯沟道的电流变化，从而间接实现对羟基自由基的检测。

东北大学2016年10月12日宣布与东京大学等合作，制作出了使用三维纳米多孔石墨烯的电双层晶体管。石墨烯是由单层碳原子组成的二维片层，具有优秀的晶体管性能，但达到实用水平需要叠加几千张。此次通过使用多孔质三维石墨烯制作晶体管，电容量最多达到了二维石墨烯晶体管的1000倍。

针对上述挑战，中国科技大学陈仙辉教授课题组与复旦大学张远波教授、封东来教授和吴骅教授课题组合作，成功制备出基于具有能隙的二维黑磷场效应晶体管。实验显示，这种材料厚度小于7.5纳米时，在室温下可得到可靠的晶体管性能，漏电流的调制幅度在10万量级，电流-电压特征曲线展现出良好的电流饱和效应。

与当前所采用的材料相比，石墨烯晶体管有着不可思议的速度；但是也有一个要命的问题，因为——它不能被”关上”。如果试图拿石墨烯材料做开关的话，这就是问题所在。