慈海娜

通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在碳纳米管（CNTs）表面原位生长石墨烯（Gr）纳米片，构建了Gr@CNTs异质结三维框架，全碳载体巧妙融合了CNTs的高导电性与Gr的优异载流子迁移率，形成连续的电子/离子传输通道和丰富的表面活性位点，有效解决了单一组分的堆叠与封闭问题，实现了对多硫化物（LiPSs）的超强吸附能力及超高电化学性能，为轻量化、高能量密度锂硫电池的实用化提供了极具前景的技术路径。

文章详细讨论了在绝缘基底上通过CVD生长石墨烯的机制和挑战，与在金属基底上的生长行为形成对比。在金属基底上，金属的催化性质显著降低了前驱体分解、石墨烯成核和边缘生长的能量障碍。而在非催化绝缘基底上，这些过程需要更高的能量来启动。

在本文中，作者通过CVD技术成功制备出一种自支撑的石墨烯薄膜，即通过使用可蚀刻的织物衬底，成功获得大规模纸草状的自支撑石墨烯织物薄膜(FS-GFF)。