张源涛

  • 相得益彰:GaN在石墨烯上的外延生长

    本文基于石墨烯/SiC衬底实现了应力弛豫GaN薄膜的外延生长,揭示了石墨烯上GaN的外延机理,为石墨烯上外延生长氮化物研究提供了帮助。该工作中石墨烯的插入显著地降低了GaN薄膜中的残余应力,有效提高了其上InGaN/GaN量子阱中的In组分,有助于发展高性能长波长的氮化物光电器件。

    2021年7月23日 科研进展
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