孙秀彩

本文创新提出双催化限域界面化学势调控策略，将两片 Cu (111)/ 蓝宝石单晶衬底面对面堆叠，构建对称双催化密闭反应空间，双向铜催化界面同步消耗气相碳物种，精准压低界面碳化学势，把无单层石墨烯的工艺窗口拓宽近十倍；在中试 CVD 设备单次批次稳定制备二十片 6 英寸无附生单晶石墨烯晶圆，附生畴数量降低四个数量级，同时薄膜转移完整性、电学均匀性大幅提升，室温平均载流迁移率可达 8461 cm²V⁻¹s⁻¹，整片晶圆方阻偏差仅 3%。

近日，北京石墨烯研究院刘忠范院士、孙秀彩研究员，苏州大学张金灿教授（共同通讯作者）提出了一种痕量氧辅助策略，通过有效消除非晶碳污染，进而促进底层晶格缺陷的修复，进而合成高质量石墨烯。

11名博士分别就“基于衬底工程的石墨烯薄膜生长方法研究” “石墨烯玻璃纤维的可控制备与电磁性能研究” “石墨烯复合纤维材料的CVD制备方法与性质研究” “基于限域传质过程的石墨烯薄膜批量生长方法” “晶圆级单晶石墨烯的可控制备方法研究” “扭转双层石墨烯及其范德华异质结的拉曼光谱研究” “高密度单壁碳纳米管水平阵列晶圆的制备及高通量表征” “高品质碳纳米管的结构可控放量生长方法研究” “石墨双炔的控制制备与应用研究” “二维硒氧化铋及其单晶氧化物的可控转化与器件探索” “二维Bi2O2Se半导体的分子束外延生长与界面物性调控研究”等题目做了精彩的毕业论文答辩报告。