孙禄钊

2025年6月25日，北京大学与北京石墨烯研究院刘忠范院士、孙禄钊研究员及贾开诚研究员等提出一种再结晶抑制策略，成功复活了曾被弃用的布里奇曼切割抛光（BCP）技术。通过分阶段退火工艺设计（阶段I：980°C缓释应力；阶段II：1020°C快速升温抑制晶界迁移），攻克了BCP-Cu(111)晶圆在高温下的”反向单晶化”难题。该技术使2英寸铜晶圆实现96.6%单晶度与0.81 nm超平整度，为石墨烯外延提供理想衬底。实验证实：相较于粗糙的AGG-Cu(111)箔片，BCP晶圆支撑的石墨烯呈现97.13%晶畴取向一致性和零多层生长特性，且转移后褶皱密度显著降低。

报告从铜箔单晶化、铜基石墨烯高温生长、石墨烯-铜高温复合等方面，介绍了孙禄钊博士团队近年来发展的新技术和新产品，并交流蒙烯铜材料未来的应用前景。

为此，北京石墨烯研究院（BGI）通用石墨烯薄膜课题组从大尺寸Cu(111)单晶箔材衬底制备、石墨烯外延取向控制两个方面开展研究，揭示了铜晶粒长大过程中晶界角度对晶界迁移的作用，发展了强织构诱导的Cu(111)异常晶粒长大技术，实现了A3 (0.42×0.3m2)尺寸单晶Cu(111)箔材的制备；与中国科学技术大学李震宇教授课题组合作，揭示了痕量氧在增强石墨烯边缘与Cu(111)衬底相互作用、消除石墨烯30°转角孪晶等方面的作用，利用痕量氧修饰石墨烯边缘，实现了高取向一致度（99.9%）石墨烯的批量生长。

以标号石墨烯材料为代表的研发团队和以量产为目标的材料制造部成为这一阶段的中心和重心，高翾和孙禄钊作为两个部门的负责人和带头人，潜心研发，带领团队用实力和能力完成了BGI核心材料的研发到量产的完美接力，为石墨烯产业全新赋能！