吴天如
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上交&华科热管理材料新方案：石墨烯液态金属，热导率达 89 W/m.K
通过CO₂鼓泡 – 化学气相沉积（CVD） 技术，在铜颗粒（CuP）表面形成的CuGa₂合金催化下原位合成石墨烯，制备出 EGaIn/CuP@Gr 液态金属复合材料。该材料克服了传统物理混合法中氧化镓（Ga₂O₃）封装、气泡残留及金属间化合物导致的性能缺陷，其最高热导率达89.0 W/m·K（为各向同性、流变性含金属填料镓基液态金属热界面材料（TIMs）中的高水平），且通过石墨烯的保护作用实现长期流变性稳定
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江苏大学：使用高质量石墨烯纳米壁进行柔性应变传感器的无转移制备
研究利用电感耦合等离子体化学气相沉积（IC-PECVD）方法，在 600 ℃ 下的氟锂云母基底上成功制备了基于无转移 VGNs 的柔性应变传感器。通过增加 H2 与 CH4 的比例，生长的 VGNs 的质量得到明显改善。在电极间直接制备的 VGNs 能改善 VGNs 与电极间的界面接触。弯曲试验结果表明，在数字间电极上直接生长 VGNs 的柔性传感器具有良好的性能。套管与传感器的结合表明，无转移柔性应变传感器可在可穿戴设备中发挥良好的性能。
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南航《ACS AEM》:利用PECVD法在基板上合成垂直石墨烯纳米壁，作为高效EMI屏蔽材料
在这项工作中，证明了通过 PECVD 方法在基板上直接生长 VGN。这些发现为开发用于 EMI 屏蔽（包括数据通信、微电子设备和航空航天）的 VGN 及其复合材料铺平了道路。
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ACS AMI | 近室温制备垂直石墨烯纳米墙与电子器件热管理应用
近日，南京航空航天大学沈鸿烈教授，中科院上海微系统与信息技术研究所吴天如副研究员，以及山东大学蒋妍彦教授在ACS Applied Materials & Interfaces上合作发表了近室温条件下采用热丝化学气相沉积（HFCVD）制备垂直石墨烯纳米墙的研究。本文基于所观测到的衬底温度对石墨烯生长取向的诱导效应，进一步探究了近室温条件下垂直石墨烯的生长机理与热管理应用。
