无转移
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Paragraf 和剑桥大学石墨烯存储器件项目获得英国创新基金资助 该项目耗资 100 万英镑,旨在开发 MaGIC 存储器件
剑桥大学材料科学与冶金学系 Judith Driscoll 教授的研究小组也将获得 299,198 英镑的联合资助,用于开发在 Paragraf 的无转移石墨烯上沉积铁电材料的工艺,以生产新型存储器件,包括石墨烯-铁电场效应晶体管 (G-FeFET)。与现有的存储设备技术相比,这有望节省大量电力,而这正是数据中心和消费设备节省电力以支持人工智能革命的关键所在。
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北京大学Appl.Mater.Interfaces:预熔基板促进选择性蚀刻策略实现高质量石墨烯的CVD生长!!
主要内容围绕着一种创新的预熔基底促进的选择性刻蚀(PSE)策略展开,旨在直接在介电基底上生长高质量的石墨烯。研究团队首先通过调节化学气相沉积(CVD)系统的温度,使玻璃纤维表面达到预熔状态,这一状态的实现是通过在三区高温炉中进行退火处理完成的。在这一过程中,玻璃纤维被加热至特定温度,使其表面达到一种预熔但不破坏其纤维状结构的状态,这为后续的石墨烯生长提供了有利条件。
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BGI年终总结季 | 2024年度BGI墨园学术论坛隆重开幕
论坛中各参会人员就相关汇报展开了热烈讨论,从理论研究到技术应用,各抒己见,在观点碰撞中激发出无数创新思想的火花,为今后科研工作的顺利开展奠定了坚实基础。刘忠范院长在点评中重点强调制备决定未来,科研工作要做好市场和材料制备的对接,高度重视市场牵引的作用,要求院司各部门加强交流,以市场思维、工程思维、产品思维为引领,以产业化落地为最终目标开展科研工作。
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国际碳材料大会:超级蒙烯材料为石墨烯薄膜产业化应用开拓新路径
本届大会的石墨烯及碳纳米材料论坛上,北京石墨烯研究院亓月研究员作题为“蒙烯玻纤的制备与应用”的报告,宋雨晴副研究员分享了题为“蒙烯氧化铝粉体材料的可控制备技术及应用”的报告,新型石墨烯材料研究部的课题组长孙靖宇在石墨烯及碳纳米材料论坛上作题为“无转移石墨烯晶圆材料”的报告分享,石墨烯转移技术课题组组长林立在石墨烯及碳纳米材料论坛上作题为“石墨烯晶圆的批量、自动化转移”的分享
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回望来路,放眼未来!Carbontech 2024石墨烯及碳纳米材料论坛成功举办!
2024年12月5日,Carbontech 2024石墨烯及碳纳米材料论坛在上海新国际博览中心·W2馆开启,论坛以“回望来路,放眼未来”为主题,旨在重新审视石墨烯行业的发展现状,探讨规模化高质量制备技术的突破,以及石墨烯材料在推动战新行业转型升级和开创全新产业中的潜力。
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Destination 2D 将石墨烯引入主流 CMOS – 晶圆规模的突破性互联技术将为下一代高能效芯片带来革命性变革
Destination 2D 公司的首席技术官和他的团队首先提出了这一理论并进行了实验验证,随后他们率先采用了压力辅助固相扩散技术,在 CMOS 兼容温度下直接在电介质衬底上合成多层石墨烯。
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从基础研究到产业化,打造千亿级“石墨烯产业树”——访北京石墨烯研究院院长刘忠范院士
近花甲之年,刘忠范院士毅然创立了北京石墨烯研究院,全身心投入到石墨烯的产业化推进。近日,仪器信息网有幸采访了刘院士,聆听他与石墨烯的不解之缘,以及石墨烯产业化道路上取得的最新进展与成就。
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北京大学,Science!
石墨烯的独特性质使其在电子、光电子和能源存储等领域具有广泛的应用潜力,但高昂的生产成本和技术瓶颈阻碍了其大规模商业化。因此,开发与现有制造工艺兼容的生产流程至关重要,这不仅可以降低成本,还能提高生产效率。此外,建立统一的行业标准和高通量表征技术对于确保产品质量和性能一致性也是必要的。这将有助于推动石墨烯及其衍生物的产业化进程,使其更快地应用于实际产品中,满足市场需求。
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3-D石墨烯纳米片: 能源和环境领域的最新进展!
广西大学科学家报道了用离子交换树脂制备高导电性的三维石墨烯材料(粉状材料)(热解催化法),产率可达kg级。目前,研究人员已经开发出各种用于储能和环境净化的三维石墨烯的大量制备方法。为了实现3D石墨烯的商业化,制造和批量生产方法的简单性以及几何和化学结构的灵活设计也很重要。
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科学通报|绝缘衬底上二维单晶材料制备研究进展
华南师范大学物理学院徐小志教授团队近日在《科学通报》发表题为“绝缘衬底上二维单晶材料制备研究进展”的评述文章。该文从绝缘衬底上不同种类二维单晶材料的生长行为展开探讨,回顾了近十年来过渡金属硫族化合物、石墨烯和氮化硼在绝缘衬底上的生长策略以及机理,对绝缘衬底上制备高质量二维单晶材料具有重要指导意义。
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伦敦大学玛丽皇后学院Zhichao Weng和Oliver Fenwick课题组–在蓝宝石晶圆上直接生长的单层石墨烯电极忆阻器
报告了使用市售的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统,以可批量生产、无污染和无转移的方式在蓝宝石晶圆上直接生长高质量单层石墨烯。利用这种方法,基于石墨烯电极的忆阻器被开发出来,并且在包含石墨烯电极的器件制造中使用的所有工艺都可以在晶圆规模上进行。
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Archer 利用其生物芯片 gFET 传感器检测慢性肾病
生长过程是专有的,但其基础是一种传统的半导体工艺,即分子有机化学气相沉积(MOCVD)。Archer 正在测试的工艺可扩展到大批量生产环境,并使公司能够保持制造出来的 gFET 器件的高灵敏度。
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张锦院士团队:石墨烯新应用!
综上所述,本研究设计了一个冷壁PECVD系统,该系统不仅可以通过耦合电场使VG垂直于底物生长,而且可以在低温下生长。此外,VG涂层Ti纤维作为FSEC电极表现出超快的速率性能和良好的电容性能。FSECs在120 Hz下具有良好的CV值和相角,具有任意的交流滤波性能,优于大多数已报道的光纤基电化学电容器。这项工作证明了VG在可穿戴电子设备中用于光纤电极的巨大潜力。
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2024, Chemical Reviews,综述分享——大面积外延生长过渡金属二硫化物的进展
在本综述中,我们系统地概述了 TMD 大面积外延生长的基本设计和重大进展。我们首先概述了它们的基本结构和各种特性。随后的讨论涵盖了最先进的晶圆级生产设计、单晶外延策略以及结构修改和后处理技术。此外,我们还重点介绍了应用驱动材料制造的未来方向和持续的挑战,旨在激发现代半导体行业革命的持续探索。