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彭海琳教授从晶体管的发展过程及前景引入，阐明包括石墨烯在内的高迁移率二维材料是未来电子材料的必然选择，之后详细讲述了CVD方法制备单层石墨烯的制备过程，通过选择Cu衬底取向解决了单层石墨烯制造过程中存在的晶界和褶皱问题，通过一氧化碳刻蚀去除了附着在石墨烯上的杂质，实现了原子级平整的四英寸和六英寸的单晶石墨烯晶片规模化制备，并开发了高性能石墨烯光电器件和超洁净透射电镜载网。此外，彭海琳教授团队率先开发了一类全新超高迁移率二维半导体材料Bi2O2Se，实现了二维单晶晶圆制备，构筑了基于Bi2O2Se的高κ自然氧化物栅介质基高性场效应晶体管和逻辑门，为未来高速电子器件和集成电路的发展提供了一种可能的材料选择。

本报告将介绍最近几年我们课题组和合作者在高迁移率二维晶体材料（石墨烯、金属硫氧族半导体）的控制生长方法、制备装备研发与功能器件应用方面的进展。

研究人员开发出低成本且易于实施的替代方案，利用仅有 1-2 个原子层的石墨烯盖密封液体或气体样品，使样品保持大气压力，同时允许系统置于真空中。石墨烯盖使被测液体发射的电子几乎无阻碍地传递到检测器，同时液体不会泄露至PEEM 的真空环境中，扩展了PEEM 在液体和气体研究方面的应用。石墨烯盖允许实验过程中更换液体，有助于研究人员了解不同化学环境下的样品行为。