光电器件

“石墨烯重量轻，光响应时间快，但单分子层吸收率低，”姚说。“我们设计了这个装置，使纳米热点的光吸收可以增加三个数量级以上，不仅有很强的光吸收，而且还具有饱和吸收效应。利用GPSMA，我们正在制造一种可饱和吸收器装置，它实际上可以将功耗降低近两到三个数量级。”

这项研究的发现可以扩展到开发一个复杂的基于石墨烯的光电设备库，例如调制器、光电探测器和传感器。研究人员的工作将支持基于石墨烯的光子学设备的工业应用，并为下一代数据通信和电信应用铺平道路。

5 亿资金将在 2030 年前分几次到位。芯片设计公司 ARM 的联合创始人 Hermann Hauser、计算机科学家和 Sun Microsystems 的联合创始人 Andreas von Bechtolsheim 以及风险投资公司 Vsquared、Project A、Cambium 和其他几家投资者参与了本轮私人融资。

该研究采用高温热解法外延生长的双层石墨烯薄膜作为微桥，连接两个铌（Nb）超导电极，研制出太赫兹谱段基于二维石墨烯材料SGS约瑟夫森结高灵敏度超导探测器。当石墨烯薄膜长度缩短至亚微米尺度时，科研团队观测到铌超导电极与石墨烯微桥间临近效应（Proximity effect）导致的约瑟夫森隧穿现象。研究通过监测石墨烯微桥中因吸收辐射引起的电流变化，即可检测太赫兹辐射信号。

北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组与国防科技大学秦石乔、朱梦剑课题组合作，设计了一种梯度表面能调控（gradient surface energy modulation）的复合型转移媒介，可控调节转移过程中的表界面能，保证了晶圆级超平整石墨烯向目标衬底（SiO2/Si、蓝宝石）的干法贴合与无损释放，得到了晶圆级无损、洁净、少掺杂均匀的超平整石墨烯薄膜，展示了均匀的高迁移率器件输运性质，观测到室温量子霍尔效应及分数量子霍尔效应，并构筑了4英寸晶圆级石墨烯热电子发光阵列器件，在近红外波段表现出显著的辐射热效应。该转移方法具有普适性，也适用于其它晶圆级二维材料（如氮化硼）的转移。

研究团队提出的超快电荷转移过程增强石墨烯-钙钛矿复合结构的非线性光学性质的新方法，相比于改变钙钛矿尺寸和结构等传统方法，能够实现对饱和吸收性质的定向调控，并且能够充分发挥石墨烯超快载流子传输性质的优点，为下一步应用到超快脉冲激光器被动锁模或调Q装置中奠定了基础。