异质结构

本文介绍了一种通过化学气相沉积（CVD）方法在抗共振空心光纤（ARF）中垂直堆叠的六方氮化硼/石墨烯（hBN/Gr）异质结构，用于调节光纤的光学共振，从而增强石墨烯的非线性光学性能。通过控制hBN的厚度，实现了从4%到10%的非线性光学调制深度的显著增加，并将全光调制性能提高了75%。该方法为通过直接生长功能性二维材料基异质结构实现可调谐光学波导提供了可能，为高度集成的光子器件的发展提供了一个稳健的平台。

本实验首次通过构建石墨烯/CrSBr 异质结，实现了具有高度各向异性传播特性的表面等离子体激元（SPPs），揭示了二维范德华材料中电荷转移诱导的光学各向异性效应。

本文的研究提供了光与磁之间相互作用的见解，展示了2D邻近耦合异质结在光自旋电子学中的潜力。

该工作在纳米尺度上系统地调节了异质结的层间距离，从实验和理论角度证明了通过功能化底层材料灵活控制异质结界面的可行性。该策略不仅适用于半导体/金属界面，还可扩展到其他异质结界面的调控，为定制和改善相应器件的性能提供了一种新的思路。

具体而言，研究者通过构建BN/单层石墨烯/BN和BN/WSe2/单层石墨烯/WSe2/BN等异质结构，成功观察到铁电滞回现象，进一步证明铁电性与库伦屏蔽效应可以在无摩尔界面的材料中实现。这一结果为扩展铁电性材料的应用领域提供了新的思路，尤其是在集成多种功能的器件设计中，放宽了材料和设计的限制。

这篇文章报道了在双层石墨烯（BLG）与铬氧氯（CrOCl）异质结构中，通过磁电协同控制实现了非挥发性状态的调控。研究发现，CrOCl的自旋态对BLG的电荷转移和相关性增强的新兴性质有显著影响。通过精确的电容测量技术，观察到了异质结构中电荷状态的惊人迟滞行为，这种迟滞行为仅依赖于磁场调控过程，而与电学调控过程无关，并且可以通过电场调控来关闭，为非挥发性存储提供了新的机制。

本研究中，研究人员通过构建WTe2/Gr/Ag异质结构，显著提高了SERS的化学增强效果。通过精确控制材料的能级匹配和界面设计，实现了对CT过程的有效调控，从而增强了SERS信号。此外，利用WTe2的热电性质，通过外部温度变化进一步调节了SERS性能，展现了该材料体系在超灵敏检测技术中的潜力。这项工作不仅为SERS基底材料的设计提供了新思路，也为未来开发新型高效SERS传感器奠定了坚实的基础。

在这项工作中，我们研究了放置在G-hBN多层膜两侧的两个GSCS纳米颗粒之间的NFRHT。通过弱耗散双曲模式，热纳米粒子的能量可以有效地传递给冷纳米粒子。