化学气相沉积

制备决定未来，石墨烯要真正走向应用，在介电衬底上直接生长高品质石墨烯至关重要。然而，由于缺乏衬底的催化活性，直接生长的石墨烯往往存在结晶品质低、缺陷多、层数均匀性差等问题，晶圆级绝缘衬底上石墨烯的直接生长仍存在巨大挑战。远程金属催化等传统金属催化方法存在无法放大、金属残留等问题。

总部位于美国的CVD石墨烯开发商General Graphene公司（GGC）推出了第三代CVD石墨烯生产线。这个20米长的辊对辊系统可以在400毫米宽的铜箔上生产单层和多层石墨烯材料。

利用化学气相沉积制备大面积、高质量石墨烯是目前最流行的方法。但石墨烯薄膜总是存在一些缺陷，晶界、层叠、褶皱等等，所有这些都会降低石墨烯的使用性能。过去对于消除晶界的研究已有很多，但涉及褶皱的研究较少，本次研究即重点探讨了在单晶Cu–Ni（111）箔上由乙烯前驱体生长的石墨烯薄膜的起皱/折叠过程。

中科院化学研究所刘云圻院士，中科院重庆绿色智能技术研究院魏大鹏研究员，复旦大学魏大程研究员总结了利用PECVD可控制备2D材料及其应用方面的最新研究进展。

福建闽烯科技有限公司的“石墨烯薄膜及应用产品制备”获全国“创翼之星”称号。我市项目首次入围国赛即获得奖项。

LG电子除了为其石墨烯开发了特定的质量控制系统外，还开发了自己的卷对卷生产工艺。LG表示，其检测系统可以将石墨烯晶体尺寸、缺陷和电性能的均匀性偏差控制在10%以内。

公司已掌握化学气相沉积法CVD制备石墨烯薄膜技术，致力于研发和生产大面积高品质石墨烯薄膜以及石墨烯应用产品。闽烯科技长期跟踪和研究石墨烯领域的发展趋势和国际最新技术，对国内外的技术水平有非常精准的把握，在石墨烯CVD制备技术及应用领域已经处在国际领先水平。闽烯科技正致力于成为全世界一流的石墨烯企业，为科技和产业发展提供无限可能。