科研进展

该团队提出了特定的OFG调节策略，使用了与π-π堆叠策略耦合的受控热分解，设计了一系列还原氧化石墨烯负载的钴卟啉分子催化剂（CoTPP@RGO）。

杨帆助理教授团队通过超快焦耳加热技术，课题组成功控制了碳相和硅相之间的热相互作用，进而形成能将硅纳米颗粒牢固锚定在石墨烯基体内的碳化硅“铆点”。这种新方法有效解决了传统热处理过程中由于两相亲疏水特性改变而导致的相分离问题，并确保了石墨烯和硅之间的牢固结合。

近日，上海交通大学的颜徐州研究员团队通过将机械键引入石墨烯薄膜，实现了对石墨烯薄膜力学性能的整体增强，尤其是伸长率和韧性分别达到了23.6%和23.9 MJ/m3，这主要得益于机械键的分子内运动，增强了石墨烯片层间的滑移距离。

为了让它发挥作用，研究人员使用一种低成本的高温生物废料处理工艺，将木薯植物中提取的碳沉积到金属表面。一旦碳与金属结合，就会产生石墨烯的足迹，石墨烯是一种由单层碳原子组成的材料。这种材料填满了磨损造成的刘海，形成了纯石墨烯接触点，保护了下面的金属。

本文利用光热显微镜对比研究了石墨烯薄片在不同光热介质(空气、甘油)中随厚度变化的光热特性，发现了在两种介质中光热信号强度与样品厚度之间均存在非线性依赖关系。相比于空气介质，甘油介质中光热信号强度具有更高的对比度，且随着厚度增加表现出非单调变化。该研究提供了不同介质环境中不同层数石墨烯光吸收和热弛豫特征的详细细节信息，相关研究结论将为层状材料及其异质结的热学性质研究提供依据。

本文将深入探讨二维材料光电探测器在芯片集成中的具体应用，分析其在成像技术、传感器技术以及内存技术中的优势与挑战。通过了解这些前沿应用，我们可以更好地把握未来科技的发展趋势，为相关领域的科研与产业化提供有力支持。

紫外线照射可选择性地去除 GO 基底面上的羟基 (-OH)，从而增强金属阳离子与位于 GO 边缘的官能团之间的相互作用。因此，与钙阳离子相比，溶液中自由移动的锂的比例较低。提出了一种类似于色谱法的 UV-rGO 分离机制，强调了 GO 上不同氧基团在控制 GO 膜选择性离子传输中的关键作用。

我们利用氟金云母上金属的准范德华 (vdW) 外延，展示了一种全堆叠方法，通过机械转移预沉积金属电极来制造具有高质量 vdW 接触的 2D 器件。该技术适用于尺寸高达晶圆级的复杂器件集成，并且还能够通过转移选择性金属来调节界面结的电特性。我们的研究结果为二维电子学提供了一种高效、可扩展且低成本的技术，允许高密度器件集成以及 vdW 材料基础研究的便捷工具。

利用致密的天然氧化镓对环境的隔离能力，封装后的BP和MoTe2器件的光电性能保持时间比未封装器件长数百倍。由于Ga2O3的超薄高κ特性，可以直接用封装层制作顶门控器件，同时作为介电层。这种直接器件的制造是通过Ga2O3的选择性蚀刻来实现的，而封装材料是完整的。封装的1T’ MoTe2即使在环境中放置150天后也具有高导电性。