科研进展

电子科技大学研究团队在《Laser & Photonics Reviews》上发表了一项重要成果：全球首个基于石墨烯的可编程透射超表面，实现了太赫兹频段超宽带、宽角度波束扫描与独立增益控制。该研究通过引入石墨烯-绝缘体-石墨烯异质结构替代传统离子凝胶门控，结合双谐振单元设计与镜像对称操作模式，成功解决了石墨烯在太赫兹调制中效率低、稳定性差、均匀性不足三大难题。

本研究开发了一种双功能仿生蘑菇状三维地质聚合物沸石-镍@碳纳米管-石墨烯复合材料太阳能蒸发器。通过在地质聚合物沸石载体上原位生长碳纳米管-石墨烯光热层并负载金属镍催化剂，构建了具有强金属-载体相互作用效应的界面。该材料设计实现了高效光热蒸发与优异CO₂光催化还原性能的集成。

研究揭示了石墨烯/二硫化钼平面异质结的磁多功能特性，为基于二维平面异质结的高性能、多功能器件设计与性能调控提供了理论依据。

本文研究了FeMnOx/石墨烯电催化剂的开发及其在可充电ZAB中的电化学评估。催化剂采用不同商业石墨烯纳米片与Gnanomat SL公司专利工艺（专利号EP3784622A1）制备。通过发挥FeMnOx与石墨烯的协同效应，旨在同时提升催化活性与稳定性，解决ZAB中非贵金属双功能催化剂面临的核心挑战。

本研究开发了一种受牵牛花漏斗状花冠启发的低成本高效SSG器件。通过LIG技术结合PDA改性，将蒸发器制备于纤维素纸基底上。所得LIG/PDA复合材料兼具石墨烯的宽带光吸收特性与PDA的强亲水性，同时保留了纤维素纸的多孔网络结构和毛细水传输特性。

硅的成功，一半归功于 SiO2这个完美的天然氧化层。而二维材料表面光滑如镜（无悬挂键），不仅长不上介质，一旦接触空气和光刻胶，表面瞬间沦为“垃圾场”。产业界的最新共识正在形成：企图把污染洗干净是徒劳的。唯一的出路，是在污染发生之前，就把它“封印”起来。这就是我们今天要聊的，可能改写二维芯片制造流程的——“钝化优先策略”。

该科研团队通过类似“搭乐高”的方式，将两层单晶石墨烯进行精确的转角堆叠，并用高质量六方氮化硼封装，构建了微米尺度的大角度转角双层石墨烯器件。在强磁场下，该体系展现出独特的量子化特征——当调节垂直电位移场和载流子浓度时，电学测量图谱中呈现出了一个个清晰的、类似“中国结”的菱形图案。

研究团队成功在碳化硅衬底上的外延石墨烯界面处，插层合成了一种全新的二维绝缘体——单层二氧化铟。与化学计量为In₂O₃的体相铟氧化物不同，这种二维形态具有独特的InO₂化学组成，且能在大面积范围内（超过300平方微米）稳定存在。尤为巧妙的是，研究者通过预先对石墨烯进行光学光刻图案化，调控了插层反应的空间限制，成功实现了高达85%的单层InO₂生长。相比之下，使用连续石墨烯则倾向于形成厚度不均的多层结构。

研究提出一种通过直接墨水书写（DIW）三维打印技术制备的多孔芳纶纳米纤维/石墨烯纳米片（ANFs/GNs）复合材料。本研究通过3D打印技术，为快速制备高性能、可定制的电磁吸波材料提供了新途径，在轻质、柔性、宽带微波吸波器件领域具有重要应用潜力。