科研进展
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紫金山天文台等实现首个基于石墨烯的太赫兹超导约瑟夫森结探测器
该研究采用高温热解法外延生长的双层石墨烯薄膜作为微桥,连接两个铌(Nb)超导电极,研制出太赫兹谱段基于二维石墨烯材料SGS约瑟夫森结高灵敏度超导探测器。当石墨烯薄膜长度缩短至亚微米尺度时,科研团队观测到铌超导电极与石墨烯微桥间临近效应(Proximity effect)导致的约瑟夫森隧穿现象。研究通过监测石墨烯微桥中因吸收辐射引起的电流变化,即可检测太赫兹辐射信号。
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非金属等离激元催化领域研究获重要进展
为解决上述难题,研究人员设计研制了一种基于“三氧化钨+还原氧化石墨烯”的非金属等离激元复合材料,将等离激元效应提升10%。在此基础上,他们进一步通过紫外光激发三氧化钨的半导体能带,获得了对复合材料的载流子浓度和等离激元效应的高效调控,通过紫外-可见-近红外波段照射实现了异丙醇脱水生成100%丙烯的高效转化,这一方案有望为生物醇的高效烯烃转化提供技术支持。
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氧化石墨烯纳米通道通过流水帮助发电
最近发表在《Nature Communications》杂志上的一项研究通过使用冷冻铸造工艺构建高度排列的氧化石墨烯纳米通道来应对可持续能源生产,从而解决了这个问题。这种新颖的设计鼓励在纳米通道内自发吸收和定向转移水以产生清洁电力。
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《自然·通讯》清华大学曲良体:超弹性石墨烯气凝胶
该工作提出了一种制备具有多功能宏观结构和高度有序微网络的石墨烯气凝胶的激光雕刻策略。该方法可快速准确地将GA雕刻成任意形状。该方法制备得到的GA具有一系列创纪录的性能,包括超高的拉伸性(5400%伸长率),低密度(0.1 mg/cm3),和宽泊松比(0.95~ 1.64)。
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氧化石墨烯激光直写,制备超低功耗忆阻器,用于储层数字识别计算 | NSO
研究者使用直接激光写入(DLW)方法制备了基于Pt/GO/rGO结构的横向忆阻器,该结构具有超低功耗(200 nW),成功模拟了突触STM特性,采用5×1的记忆阵列作为RC系统的存储部分结合5×10单层神经网络,实现了95.74%的数字识别准确率。
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吉大尹升燕团队: 基于石墨烯气凝胶实现对大肠杆菌的高灵敏痕量检测
近日,吉林大学尹升燕教授和中国医科大学王广斌副教授带领研究团队采用石墨烯气凝胶为检测基底,经过功能化修饰后构筑了大肠杆菌检测电极,可对大肠杆菌进行高灵敏度、高特异性的痕量检测。
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AMR Account|悉尼大学陈元教授团队: 石墨烯基纤维超级电容器
文章总结了其课题组在石墨烯基纤维超级电容器的研究工作。着重介绍了石墨烯基纤维形成机理、电化学储能性能提升以及纤维器件的组装与集成策略,并总结了石墨烯基纤维超级电容器仍然面临的一些挑战与需求。
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山西大学韩拯教授最新《Nature Nanotechnology》!通过界面电荷耦合设计的石墨烯中的量子霍尔相
开发了两种不同的量子霍尔相,单层石墨烯中的朗道级在常规相中保持完好,但在界面耦合相中很大成都上失真。后一个量子霍尔相甚至在接近没有磁场的情况下也存在,随之而来的朗道量子化在位移场和磁场之间遵循抛物线关系。
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南京大学《AOM》封面:光纤端面集成的栅控石墨烯电光调制器:设计和演示
该全光纤器件采用光学反射式的三电极晶体管构型,包括以光纤纤芯为中心对称分布的两电极、覆盖纤芯的石墨烯、氧化铝绝缘介质层,以及同时作为栅极和反射镜的顶部电极。光从纤芯入射后与石墨烯作用,调制后的光被反射镜反射回光纤,由于避免了光的空间耦合,因此插入损耗极低。
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王升启课题组:基于氧化石墨烯负载多层量子点膜状标签的多重侧流免疫层析:一种快速和高灵敏检测多种呼吸道病毒的现场分析方法
本研究以单层氧化石墨烯(GO)纳米片为柔性载体,通过阳离子多聚物聚乙烯亚胺介导的静电吸附作用将羧基化CdSe@ZnS量子点逐层组装在GO表面,制备出一种高性能的柔性膜状多层量子点纳米标签。
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华东理工大学物理学院Shanshan Liang等–基于小薄片还原氧化石墨烯膜的超高纳滤性能
在这项工作中,我们展示了小薄片的还原氧化石墨烯(S-rGO)膜的可行性,以创建更有序的二维(2D)层流通道用于纳滤。
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武汉理工何大平教授/李宝文教授《Adv. Mater.》: 静电排斥对齐策略实现高质量石墨烯膜规模化制备
通过在原始石墨烯(PG)前驱体中添加微量的高电负性二氧化钛纳米片(TiNS),实现了高度有序且致密的宏观石墨烯膜制备。
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莱斯大学将沥青质转化为用于复合材料的石墨烯 原油的“闪蒸”副产品可以增强材料,聚合物油墨
材料科学和纳米工程助理研究教授Muhammad Rahman正在采用莱斯大学独特的闪焦耳加热工艺,将沥青质立即转化为涡轮层(松散排列)石墨烯,并将其混合到复合材料中,用于热、防腐蚀和3D打印应用。
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林森ACS Catalysis:原始石墨烯的H2活化起源
福州大学化学学院林森教授等人基于第一性原理方法,探索了原始石墨烯中的褶皱对H2解离活性的影响。结果表明,褶皱可以导致石墨烯C位点的电子结构差异化,表现出不同的得失电子能力,并降低H2解离能垒,H2在活化过程中表现出相反的电荷,即H2极化后再发生H–H键断裂。
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北京工业大学《ACS AMI》:在300 °C下无转移CVD生长高质量晶圆级石墨烯,用于大规模制造器件
为了保证碳自由基在低温下有足够的活性,作者设计了一个多区热CVD系统,并根据计算流体动力学(CFD)模型对每个加热区的温度进行了合理的校准。作为决定石墨烯薄膜质量的关键因素,研究了腔体压力和氢气流量。