吉仓纳米
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中国科学院固体物理研究所、中国科学技术大学化学系Liqing Chen等–调控石墨烯电导率的一般方法
在这项工作中,提出了一种提高石墨烯导电性的一般方法,即将富含自由电子的Cu NPs引入晶体化良好的激光诱导石墨烯(LIG)中。
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青岛科技大学环境与安全工程学院–氧化石墨烯支持的零价铁复合材料介导的厌氧系统性能、共代谢菌群和电子转移
为了改进传统的厌氧处理工艺,零价铁(Fe0)和氧化石墨烯(GO)最近得到了应用和研究。然而,单独使用氧化石墨烯和Fe0存在缺点。
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天津大学–用二维还原石墨烯/Fe3O4纳米复合材料扩增的碳基丝网印刷电极作为监测环境流体中4-氨基酚的电分析传感器
本研究采用简单的化学方法合成了石墨烯/Fe3O4纳米复合材料,并用EDS和TEM对其进行了表征
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郑州大学xu zhang等–石墨烯薄膜上纳米线的自组织生长
纳米线(NWs)在石墨烯薄膜上的自组织生长是通过金属有机化学气相沉积的范德瓦尔斯外延机制实现的。这是一个基本的现象,与已知的生长机制,如自催化和金属催化的纳米线生长有着质的区别。
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贾达普大学Kalyan K. Chattopadhyay等–作为非挥发性电阻式开关装置活性层的穿孔涡轮石墨烯
利用单步热解法,从天然废料–死亡的九重葛苞片中合成了穿孔的涡轮层石墨烯(PTG)片,并首次用它建造了一个电阻开关(RS)存储器件。
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韩国陶瓷工程和技术研究所和韩国技术与教育大学–用于质子交换膜燃料电池的带外延石墨烯纳米片层的纳米SiC支架上的高耐久性铂催化剂
SiC纳米粉末被外延石墨烯修饰,并被评估为质子交换膜燃料电池中铂的支撑物。咖啡渣被用作碳源,不仅提高了石墨烯修饰的SiC支持物的电催化活性,而且还证明了利用和商业化这种广泛使用的废物的可行性。铂装饰的陶瓷支架在加速电化学条件下提供了更高的耐久性和性能。
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伦斯勒理工学院Jie Lian等–三维空心还原氧化石墨烯管组件用于高导热相变复合材料和高效太阳能-热能转换
在这项工作中,我们报告了使用与石墨烯纤维相同的湿法纺丝方法合成的三维(3D)空心还原氧化石墨烯管组件(HrGOTA)。
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西南交通大学Tingting Yang和贵州电网有限责任公司电力科学研究所–基于离子水凝胶对石墨烯球体的反对称修饰的水电发生器
与碳黑颗粒相比,石墨烯球体具有更好的导电性。与片状石墨烯相比,石墨烯球体提供更大的比表面积和更丰富的纳米通道。吸湿性离子水凝胶可以捕捉水分,提供水环境(在98%RH时可以捕捉1.32mg cm-2 h-1的水分)。另一方面,离子也可以在离子浓度梯度下定向传输,以提高装置的输出性能。
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北京师范大学Lin He等–石墨烯/过渡金属二碳化物异质结构中间隔散射诱导的电子密度的稳健和远距离超周期性观察
我们对摩尔纹周期小于1纳米的石墨烯/TMD异质结构的电子特性进行了系统研究,我们的结果揭示了石墨烯的电子特性对二维绝缘衬底的意外敏感性。
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韩国科学技术院Daehwan Jung等–石墨烯III-V量子点混合维异质结构通过空穴载流子转移增强辐射重合的能力
我们展示了石墨烯/III-V量子点混合维度异质结构的强烈光致发光增强。与只有量子点的结构相比,二维/零维混合结构中石墨烯和量子点之间的距离决定了载流子辐射重组的增强程度,从80%到800%。时间分辨的光致发光衰减也显示,当距离从50纳米减少到10纳米时,载流子寿命增加。
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威斯康星大学麦迪逊分校–基于石墨烯的单原子催化剂上的氧气进化反应在第一原理指导下的微观动力学模型中得到的启示
嵌入氮掺杂石墨烯的单原子过渡金属由于其高活性和低材料成本而成为有前途的电催化剂。这些材料已被证明可以催化各种电化学反应,但它们在反应条件下的活性位点仍不为人所知。
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新加坡南洋理工大学Martin Pumera等–化学还原的石墨烯含有天然和合成石墨中固有的金属杂质
在这里,我们发现无论是天然石墨还是合成石墨都含有大量的金属杂质,这些金属杂质存在于经过氧化处理后的氧化石墨样品中,以及经过化学还原后的化学还原石墨烯中。
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德克萨斯大学Jamie H. Warner等–使用顶部和底部接触的横向间隔石墨烯电极到WS2半导体单层的超薄全二维侧面二极管
二维(2D)材料的超薄特性为创造比使用传统块状材料薄得多的器件提供了机会。在这篇文章中,通过化学气相沉积法生长的单层二维材料被用来制造超薄的全二维侧向二极管。
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浙江工业大学Bingjun Pan等–激发涂覆在S,N-石墨烯上的MoS2纳米片的内在活性以实现高效的膜电过滤
协调石墨烯基复合膜的活性位点和电子传输的策略对于它们在有机废水的电过滤处理中的应用至关重要。在这项研究中,通过一种简单的策略开发了一种异质MoS2涂层的S,N-石墨烯(SNG)膜(O-MoS2@SNG)。
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山东大学光学晶体材料国家重点实验室Fapeng Yu和Xian Zhao等–CVD法生长石墨烯过程中铜阶梯束的演化
采用化学气相沉积法(CVD)生长石墨烯时,常见的产物是铜阶梯束(CSBs),其对石墨烯的质量有显著影响。虽然在Cu上制备大面积石墨烯方面已经取得了相当大的进展,但CSBs的生长行为尚未完全了解。研究了石墨烯与铜箔间热应力引起CSBs的主要影响因素。