高明

团队将半导体性石墨烯纳米带薄膜湿法转移至n型锗衬底，构筑了石墨烯纳米带/锗（GNRs/Ge）垂直异质结短波红外光电探测器。拉曼谱D、G、2D峰位于1328、1589、2635 cm⁻¹，IG/ID约10.15；光致发光峰位于686 nm，光学带隙1.79 eV，证实纳米带的半导体特性。