狄增峰

在微观机制方面，研究团队利用第一性原理计算研究了石墨烯与锗衬底的能带杂化。结果显示，锗的相关能带与石墨烯狄拉克锥相互耦合，在能带反交叉附近形成过倾斜的有质量狄拉克型能带结构，并产生显著且分布不均匀的贝里曲率。由此形成的贝里曲率偶极矩（Berry curvature dipole，BCD）为实验中强二阶非线性霍尔响应提供了微观解释。结合测得的非线性霍尔电导率与纵向线性电导率之间近似线性的标度关系，研究团队进一步识别出BCD机制的主导贡献。

研究团队提出了表面预熔工程技术。将锗（110）衬底加热至接近但低于锗的体熔点，使其表面原子层进入准液体无序状态，同时保持衬底内部的单晶结构。在随后的石墨烯生长与可控冷却过程中，精确调节冷却速率，使准液态锗表面重构为周期约0.56 nm的一维条纹结构，并以此作为模板调控上层石墨烯的晶体对称性。

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究员狄增峰团队，开发出一种石墨烯辅助金属电极转印技术。该技术以锗基石墨烯晶圆作为预沉积衬底“生长”金属电极阵列，并利用石墨烯与金属间较弱的范德华作用力（一种分子间作用力），实现了任意金属电极阵列的“撕下来”和“贴上去”——无损转移，且转移成功率达到100%。