曹兆龙

器件制备在500 μm厚双面抛光的p型掺杂硅衬底上，表面带有300 nm二氧化硅层，采用湿法转移的大面积CVD单层石墨烯，经紫外无掩模光刻与氧等离子体刻蚀定义石墨烯图案，再经第二次光刻、热蒸发Cr/Au（10/90 nm）与剥离工艺形成金属谐振器与电极，背面涂覆银浆作为背栅电极。