张浩翔

二维材料转移过程中引入的高分子残留及水氧杂质容易形成界面缺陷与电荷陷阱，诱发陷阱辅助隧穿效应，影响器件的电荷保持能力与工作稳定性。针对这个学术难点，他详细介绍了基于真空退火的界面优化方法。其研究通过设置未退火、仅石墨烯退火、快速逐层退火及慢速逐层退火四组对照实验，结合扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱及电学性能测试，系统分析不同退火工艺对器件存储特性的影响。