半导体

近日，湖南大学曾泽兵教授课题组基于原子级精确的湿法合成技术，将两个苝分子和一个1,6-二氮杂蒽片段稠合，使交界处形成新的p-n异质结（图1）。

从名单来看，8英寸半导体石墨烯产品生产项目、华清年增产1000万片大功率集成电路用覆铜陶瓷基板技改项目、胜科纳米集成电路专业分析测试平台项目、晋江存储器生产线建设项目、集成电路测试探针暨中国大陆营运总部等项目在列。

证明了通过界面调控可在氮掺杂石墨烯上生长高质量的氮化镓薄膜，是一种有效的原子调控方法。本方法为新型半导体器件的工业发展提供了新思路。

这篇综述介绍了各种基于二维半导体的场效应晶体管的逐步发展及其相对优势和设计挑战。与最先进的三维纳米级场效应晶体管相比，这些纳米级二维场效应晶体管在不影响操作速度的情况下，可以显著改善功耗。此外，通过适当的设计优化，这些纳米级二维场效应晶体管可以取代CMOS性能，实现低功耗、高性能设计。

作者表示：通过对多种过渡金属二硫族化物进行测量，并比对光致发光、I-V曲线的结果以及文献报道的数值，可以证明这种场效应晶体管测量二维半导体材料带隙的准确度较高；除了探针和常规的电学测量仪器，该方法不需要任何大型设备和复杂操作，因此可以用于多层、大厚度的二维半导体材料的带隙估计。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室路建明研究员课题组在氮化硼与双层石墨烯晶格对齐形成的摩尔超晶格体系中发现了极大的铁电极化，其电荷面密度高达1013cm-2，远超过摩尔窄带所容纳的电子密度；高达5pCm-1的界面极化位于人工堆垛范德华异质结中最高界面铁电之一。