湖北大学《RSC Adv》:新型ZnIn2S4@石墨烯改性隔膜,用于高性能硫氢电池

综上所述,通过在RGO表面原位生长片状ZnIn2S4,设计了一种具有丰富硫空位的新型片对片结构。得益于热处理过程中获得的丰富Vs,改性隔膜不仅提高了对LiPSs的化学亲和力,而且加速了LiPSs转化反应动力学。这项工作提出了一种设计具有丰富硫空位的片对片结构的策略,这为合理设计耐用高效的LSB提供了一个新的视角。

成果简介

湖北大学《RSC Adv》:新型ZnIn2S4@石墨烯改性隔膜,用于高性能硫氢电池

本文,湖北大学Tao Mei、Xianbao Wang等研究人员在《RSC Adv》期刊发表名为“Sheet-on-sheet ZnIn2S4@RGO-modified separators with abundant sulfur vacancies for high-performance Li–S batteries”的论文,研究通过在还原的氧化石墨烯上原位生长片状ZnIn2S4,设计了一种具有丰富硫空位(Vs)的新型片对片结构(Vs-ZIS@RGO)表面,用作高性能锂硫电池(LSB)隔膜上的功能层。

得益于片对片结构,隔膜表现出快速的离子/电子转移,能够支持快速的氧化还原反应。垂直有序的ZnIn2S4缩短了锂离子的扩散路径,不规则弯曲的纳米片暴露出更多的活性位点,从而有效地锚定多硫化锂(LiPS)。更重要的是,Vs的引入调节了ZnIn2S4的表面或界面电子结构,增强了对LiPS的化学亲和力,同时加速了LiPS的转化反应动力学。正如预期的那样Vs-ZIS@RGO改性隔膜在0.5C下的初始放电容量为1067 mA h g−1。即使在1C下,也能获得优异的长循环稳定性(500次循环710 mA h g–1),每个循环的超低衰减率为0.055%。这项工作提出了一种设计富含硫空位的片对片结构的策略,为合理设计耐用高效的LSB提供了一个新的视角。

图文导读

湖北大学《RSC Adv》:新型ZnIn2S4@石墨烯改性隔膜,用于高性能硫氢电池

图1、Vs-ZIS@RGO合成路线示意图。

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图2、(a) GO的SEM图像。(b)、(c) VS-ZIS@RGO的SEM图像。(d) 透射电镜、(e) HRTEM图像和(f) SAED与ZIS@RGO的模式。(g) ZIS@RGO和Vs-ZIS@RGO的XRD图谱。(h) GO、ZIS@RGO和Vs-ZIS@RGO的拉曼光谱。

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图3、(a) 室温下ZIS@RGO和Vs-ZIS@RGO的EPR谱。(b) S 2p、(c) In 3d 和 (d) Zn 2p 的 ZIS@RGO 和 Vs-ZIS@RGO 的 XPS 光谱。

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图4、Vs-ZIS@RGO//PP的结构表征

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图5、电化学表征

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图6、(a) 0.2°C时GO//PP、ZIS@RGO//PP和Vs-ZIS@RGO//PP的充电电压曲线。(b) PP、GO//PP、ZIS@RGO//PP和Vs-ZIS@RGO//PP在0.5C下200次循环的循环性能和库仑效率。(c) GO//PP、ZIS@RGO//PP和Vs-ZIS@RGO//PP在0.1至5C不同电流密度下的倍率能力。(d) 不同速率下Vs-ZIS@RGO//PP的充放电曲线。(e) 500次循环中Vs-ZIS@RGO//PP不同速率下的长期循环性能。

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图7、Li2S6在(a)ZIS和(b)Vs-ZIS(102)表面上的优化配置示意图。(c) 基于Vs-ZIS在LiPS上的化学吸附和催化转化的协同机制。

小结

综上所述,通过在RGO表面原位生长片状ZnIn2S4,设计了一种具有丰富硫空位的新型片对片结构。得益于热处理过程中获得的丰富Vs,改性隔膜不仅提高了对LiPSs的化学亲和力,而且加速了LiPSs转化反应动力学。这项工作提出了一种设计具有丰富硫空位的片对片结构的策略,这为合理设计耐用高效的LSB提供了一个新的视角。

文献:

湖北大学《RSC Adv》:新型ZnIn2S4@石墨烯改性隔膜,用于高性能硫氢电池

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