双层石墨烯,今日Science!

有鉴于此,西班牙巴塞罗那科学技术研究院Frank H. L.Koppens团队报道了原位可调谐谷选择霍尔效应(VSHE)的直接观测,其中电子的反转对称性和几何相位可由面外电场控制。作者使用高质量的双层石墨烯,其固有带隙可调,由圆偏振光照明,并确认观察到的霍尔电压来自光学诱导的谷数。

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Berry曲率类似于磁场,但在动量空间中,通常存在于具有非平凡量子几何的材料中。它赋予布洛赫电子横向反常速度,即使在没有磁场的情况下也能产生霍尔电流。二维狄拉克材料,如石墨烯和过渡金属二卤化物(TMD),是实现一系列新的拓扑和量子几何响应的特别有吸引力的材料。例如,通过测量石墨烯-氮化硼(BN)超晶格和二硫化钼(MoS2)中的非局域信号,可以推断出低耗散谷电流。

然而,同样值得注意的是有间隙的双层石墨烯(GBG),它可以在其带边上承载巨大的Berry曲率密度,据预测会产生巨大的反常(或谷选择性)霍尔效应。许多材料的贝里曲率通常被认为是由其晶体结构决定的;相比之下,双层石墨烯中的贝里曲率可以通过调节层间电位进行外部调整,从而为研究贝里曲率驱动的量子几何现象提供了一个多功能旋钮。然而,非局域电阻指纹也被预测来自空间上不均匀的间隙分布,最近的扫描门成像实验发现,石墨烯中的非局域传输信号也可能由于边缘的电荷积累而产生,因此不一定具有体谷霍尔效应起源。

有鉴于此,西班牙巴塞罗那科学技术研究院Frank H. L.Koppens团队报道了原位可调谐谷选择霍尔效应(VSHE)的直接观测,其中电子的反转对称性和几何相位可由面外电场控制。作者使用高质量的双层石墨烯,其固有带隙可调,由圆偏振光照明,并确认观察到的霍尔电压来自光学诱导的谷数。

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图1. GBG 中由可调贝里曲率驱动的谷选择性霍尔效应

作者利用圆偏振红外光,利用谷偏振载流子直接探测带隙从0到0.125 eV的双层石墨烯中可调谐VSHE,实现了带隙小的非平凡量子几何材料中的异常(几何)电流的直接探测测量。典型霍尔器件的设计经过优化,用于探测器件的霍尔电压(图1C)。该设备的活动区域为方形,石墨触点放置在相对较远的距离,以避免触点处产生虚假的光电压。该设备安装在光学低温恒温器(设备温度33 K)中,带有聚焦红外光源(光斑大小约25毫米),可在设备表面进行扫描,同时监测纵向(纵向,用xx表示)和横向(垂直,用yy表示)电压。

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图2. VH对激子态和间隙的依赖性

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图3. GBG中VSHE的指纹

作者通过探测多个激子峰来研究红外光照明的效果。随着间隙尺寸的增大,多个激子态与入射光子共振,导致带间吸收和光电流峰值增强。光载流子的光激发表现为源漏偏压Vb下的典型光电导特性。光电导性是VSHE的一个基本前提条件,它明显不同于单层和双层石墨烯中观察到的光伏、光电热电和测辐射热效应。通过调谐和载流子密度可以获得SHC的全参数依赖性。

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图4. σH的演变

参考文献:

Jianbo Yin et al. Tunable and giant valley-selective Halleffect in gapped bilayer graphene. Science 2022, 375, 1398-1402.

https://www.science.org/doi/10.1126/science.abl4266

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